11月20日消息，三星电子韩国当地时间本月18日举行了位于器兴园区的NRD-K新半导体研发综合体的进机仪式，标志着这一2022年动工的研发中心开始设备安装。

NRD-K半导体研发综合体占地面积10.9万平方米，将成为三星电子DS部下属三大事业部（存储器、系统LSI和Foundry）的共同核心研发基地，到2030年这一项目将累计获得约20万亿韩元（约合1039.2亿元人民币）的投资。

NRD-K还将包含一条研发专用线，该产线将于2025年中投入使用。

▲NRD-K工地。图源三星电子官网，下同

NRD-K综合体将导入ASMLHighNAEUV光刻机、新材料沉积设备在内的一系列最先进半导体生产工具，旨在加速3DDRAM、千层V-NAND在内的下代存储芯片开发，还将建设WoW晶圆键合基础设施。

三星DS部负责人全永铉在仪式上表示，通过NRD-K，我们将建立从基础研究到量产的下一代半导体技术的良性循环体系，从而大幅提高开发速度。我们将从三星电子半导体50年历史的起点器兴出发，为实现新的飞跃奠定基础，并创造新的百年未来。

▲全永铉