7月3日消息，根据韩媒The Elec报道，三星在其第9代V-NAND的“金属布线”（metalwiring）中首次尝试使用钼（Mo）。

金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体（CPU、GPU等）。

消息人士称，该公司已从Lam Research引进了5台钼沉积机用于该工艺，并计划明年再引进20台设备。

除三星电子外，SK海力士、美光和Kioxia等公司也在考虑使用钼。和现有NAND工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不同，钼前驱体（molybdenum precursor）是固态，必须在600℃的高温下才能升华直接转化为气态，而这个过程需要单独的沉积设备。

三星今年5月报道，已经启动了首批第九代V-NAND闪存量产，位密度比第八代V-NAND提高了约50%。

第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle5.1”，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对PCIe5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。