3月14日消息，据BusinessKorea报道，三星将于今年上半年开始量产第三代4纳米芯片，将稳定制程早期阶段的良率问题，以及提升性能、功耗和做出面积改进。

三星电子12日公布的《三星电子事业报告书》中显示，三星将于今年上半年开始量产基于4nm工艺的2.3代芯片。

这是三星电子首次提及4纳米后续版本的具体量产时间。与4纳米芯片的早期版本SF4E相比，第二代和第三代产品表现出了更好的性能，而且还带来了更低的功耗和更小的面积。

不过，三星电子在SF4E芯片实现商用之后在芯片产量的管理上也遇到了一系列难题，最终因为能耗表现不佳再加上产能限制将大客户高通拱手让给了台积电。

业内人士估计，三星电子目前4纳米工艺良率可达到60%，而台积电同类型良率可达到70~80%。专家们认为，三星电子良品率正在迅速提高，后续产品的量产也在加快。

随着三星电子在先进工艺上不断突破，在性能提高的前提下保证产能，预计可在5nm级以上的工艺量产方面与台积电进一步进行竞争。

相信常看IT之家的用户大都清楚，当下最先进的半导体工艺是3nm级别，但无论是台积电还是三星目前的主要产品还是4nm和5nm。

根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，截至去年第三季度，4纳米和5纳米工艺占销售额占比最高，达到了22%，超过了6纳米和7纳米工艺的16%和16、14和12纳米工艺的11%。